nc-Si/SiO2多層膜的制備及藍光發(fā)射

在等離子體增強化學氣相淀積(PECVD)系統(tǒng)中,采用a-Si∶H層淀積與原位等離子體氧化相結合的逐層生長的方法成功制備出a-Si∶H/SiO2多層膜 (ML);利用限制性結晶原理通過兩步退火處理使a-Si∶H層晶化獲得尺寸可控的nc-Si/SiO2 ML,并觀察到室溫下的藍光發(fā)射;結合Raman散射和剖面透射電子顯微鏡技術分析了nc-Si/SiO2 ML的結構特性;通過對晶化樣品光致發(fā)光譜和紫外-可見光吸收譜的研究,探討了藍光發(fā)射的起源.

作 者： 隋妍萍 馬忠元 陳坤基 李偉 徐駿 黃信凡   作者單位： 南京大學物理系,固體微結構物理國家重點實驗室,南京,210093  刊 名： 物理學報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2003 52(4)  分類號： O4  關鍵詞： 納米硅多層膜   等離子體氧化   藍光發(fā)射   熱退火  

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