多孔硅/高氯酸鈉復合材料的合成與爆炸特性研究

本文采用電化學陽極氧化法制備多孔硅,考察不同氧化條件下多孔硅孔隙率及膜厚的變化情況,研究電化學陽極氧化工藝條件、高氯酸鈉溶液濃度以及貯存方法等因素對多孔硅復合材料爆炸反應的影響.結果表明.多孔硅孔隙率隨電流密度增大而增大,當電流達到50 mA·cm-2以上時略有降低,孔隙率隨氧化時間增大而先增大后減小,且氧化時間為30 min時最大,孔隙率隨氫氟酸濃度增大反而減小,多孔硅膜厚隨時間增大而增大.SEM分析表明,多孔硅表面產生裂縫,內部形成硅柱.在電流密度小、氧化時間短的條件下形成的多孔硅復合材料不易爆炸,當NaClO4甲醇溶液質量濃度大于0.098 g·mL-1時發(fā)生強烈爆炸, 將多孔硅復合材料用乙醇浸泡是最為理想的貯存方法.

作 者： 黎學明 胡欣 陳建文 LI Xueming HU Xin CHEN Jianwen   作者單位： 重慶大學化學化工學院,重慶,400044  刊 名： 中國科技論文在線  英文刊名： SCIENCEPAPER ONLINE  年，卷(期)： 2008 3(3)  分類號： X830.1  關鍵詞： 電化學   復合材料   爆炸特性   多孔硅   NaClO4  

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