單根In摻雜的n-ZnO納米線/p+-Si異質結的紫外電致發(fā)光

采用化學氣相沉積的方法在In0.1Ga0.9N襯底上生長出In摻雜的n-ZnO納米線陣列.電學輸運測量得到單根n-ZnO納米線的電阻率為0.001 Ω cm,比同樣方法在GaN襯底上生長的ZnO納米線低約20倍.這個結果表明來自于In0.1Ga0.9N襯底中的In原子在高溫生長過程中可能被摻入ZnO納米線.制備成功單根n-ZnO納米線/p+-Si異質結構并研究了其電致發(fā)光特性.室溫下電致發(fā)光光譜中可以看到一個窄的ZnO激子峰(約380 nm)和一個中心位于700 nm 的來自Si襯底表面自然氧化硅發(fā)光中心的發(fā)光峰.

作 者： 霍海濱 楊衛(wèi)全 戴倫 馬仁敏 秦國剛 HUO Haibin YANG Weiquan DAI Lun MA Renmin QIN Guogang   作者單位： 霍海濱,楊衛(wèi)全,馬仁敏,HUO Haibin,YANG Weiquan,MA Renmin(北京大學物理學院,北京,100871)

戴倫,秦國剛,DAI Lun,QIN Guogang(北京大學物理學院,北京,100871;介觀物理國家重點實驗室,北京,100871) 

刊 名： 北京大學學報（自然科學版）  ISTIC PKU 英文刊名： ACTA SCIENTIARUM NATURALIUM UNIVERSITATIS PEKINENSIS  年，卷(期)： 2008 44(3)  分類號： O475  關鍵詞： 電致發(fā)光   氧化鋅納米線   硅   異質結  

【單根In摻雜的n-ZnO納米線/p+-Si異質結的紫外電致發(fā)光】相關文章：

表揚，別摻雜音_1000字05-01

米線的作文08-15

過橋米線11-26

過橋米線作文12-07

過橋米線的作文02-25

過橋米線作文05-25

云南過橋米線作文12-22

過橋米線作文【推薦】12-07

[精品]過橋米線作文12-07

（集合）過橋米線作文12-08